一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片制造方法及图纸

本申请提供了一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片，所述方法包括：获取DDR SDRAM设计文件；获得用于描述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型；根据无源通道描述模型，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM；若基于通道裕量COM确定当前的DDR SDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理；继续执行获取用于描述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。由此，大大提高了DDR SDRAM通道的优化处理速度。

【技术实现步骤摘要】
一种DDRSDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片
本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种双倍速率同步动态随机存储器DDRSDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片。
技术介绍
随着新的应用比如人工智能，自动驾驶以及高性能计算以及嵌入式视觉的迅猛发展，对双倍速率同步动态随机存储器（DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory，DDRSDRAM，简称为DDR）的带宽提出了更高的要求。图1a列出了时间（时间以年（Year）为单位）与各类存储器（如GDDR、LPDDR、HBM等等）的数据传输速率（Gbps/pin）之间的关系图，近几年呈现几何增长，对DDR的电性能设计提出了更高的要求，相应地，DDR设计完成后，DDR的验证及优化也极为重要。目前DDR设计的优化方案是利用无源通道实现，即，对初始DDR文件进行无源通道建模，然后对建模输出结果进行有源的时域眼图仿真，若仿真结果没有达到预期，则对DDR文件进行优化处理，然后对优化处理后的结果再次执行建模和时域眼图仿真，然后在此判断仿真结果是否达到预期，若依然没有达到预期则迭代执行上述流程，参考图1b所示。但是该方法完成一次迭代需要很长时间，而且设计人员一般无法直接从无源通道参数直观看出DRR设计的优劣，必须要完成时域眼图仿真才能对DRR设计进行判断。而且时域眼图仿真必须要依靠有源模型，比如HSPICE，IBIS或者IBIS-AMI模型，这些模型在DRR设计的早期设计阶段很难获取到，无法完成系统设计的早期迭代。因此，如何实现DRRSDRAM设计文件的快速优化是值得考虑的技术问题之一。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种双倍速率同步动态随机存储器DDRSDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片，用以实现DRRSDRAM设计文件的快速优化设计。具体地，本申请是通过如下技术方案实现的：根据本申请的第一方面，提供一种DDRSDRAM通道的优化方法，所述方法，包括：获取DDRSDRAM设计文件；获得用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型；根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM；若基于所述通道裕量COM确定当前的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对所述设计文件中的DDRSDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。根据本申请的第二方面，提供一种DDRSDRAM通道的优化装置，所述装置，包括：文件获取模块，用于获取DDRSDRAM设计文件；模型获得模块，用于获得用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型；计算模块，用于根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM；判断模块，用于基于所述通道裕量COM判断当前的DDRSDRAM通道是否满足电性能优化输出条件；优化处理模块，用于在所述判断模块的判决结果为否时，则对所述设计文件中的DDRSDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。根据本申请的第三方面，提供一种存储芯片，包括双倍速率同步动态随机存储器DDRSDRAM存储器，所述DDRSDRAM包括DDRSDRAM通道，所述DDRSDRAM通道为基于本申请实施例第一方面所提供的方法优化得到的。根据本申请的第四专利技术，提供一种电子设备，包括处理器和机器可读存储介质，机器可读存储介质存储有能够被处理器执行的计算机程序，处理器被计算机程序促使执行本申请实施例第一方面所提供的方法。根据本申请的第五方面，提供一种机器可读存储介质，机器可读存储介质存储有计算机程序，在被处理器调用和执行时，计算机程序促使处理器执行本申请实施例第一方面所提供的方法。本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供的DDRSDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片，在获取到包括DDRSDRAM通道的DDRSDRAM设计文件后，获得用于描述前述DDRSDRAM通道的无源通道描述模型，然后基于获得的无源通道描述模型，计算DDRSDRAM通道的通道裕量COM，当基于通道裕量COM确认当前设计的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件时，则对DDRSDRAM通道进行优化处理，然后重复执行上述流程直至优化处理后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止，这样也就不需要借用现有技术中的有源的时域眼图仿真模型来优化DDRSDRAM通道，由于有源的时域眼图仿真模型较难获取且耗时，因此，采用本申请提供的方法可以大大节省DDRSDRAM通道的优化时间，且准确度高。附图说明图1a是现有技术提供的近几年DDR的数据的传输速率；图1b是现有技术提供的DDR优化流程图；图2是本申请实施例提供的一种DDRSDRAM通道的优化方法的流程图；图3是本申请实施例提供的另一种DDRSDRAM通道的优化方法的流程图；图4是本申请实施例提供的远端串扰通道和近端串扰通道示意图；图5是本申请实施例提供的一种DDRSDRAM通道的优化装置的框图；图6是本申请实施例提供的实施DDRSDRAM通道的优化方法的电子设备的硬件结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相对应的列出项目的任何或所有可能组合。应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。请参考图2所示，图2是本申请提供的一种DDRSDRAM通道的优化方法的流程图，该方法可包括如下所示步骤：S21、获取DDRSDRAM设计文件。具体地，双倍速率同步动态随机存储器（DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAcces本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DDR SDRAM通道的优化方法，其特征在于，包括：/n获取DDR SDRAM设计文件；/n获得用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型；/n根据所述无源通道描述模型，计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量COM；/n若基于所述通道裕量COM确定当前的DDR SDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对所述设计文件中的DDR SDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDR SDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。/n

【技术特征摘要】
1.一种DDRSDRAM通道的优化方法，其特征在于，包括：
获取DDRSDRAM设计文件；
获得用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型；
根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM；
若基于所述通道裕量COM确定当前的DDRSDRAM通道不满足电性能优化输出条件，则对所述设计文件中的DDRSDRAM通道进行优化处理；并继续执行获取用于描述所述设计文件中的DDRSDRAM通道的无源通道描述模型的步骤，直至优化后的DDRSDRAM通道满足电性能优化输出条件为止。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无源通道描述模型包括受害线通道描述模型、远端串扰通道描述模型和近端串扰通道描述模型；则
根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM，包括：
对所述受害线通道描述模型所表征的受害线通道进行通道滤波处理；
根据所述DDRSDRM设计文件，判断所述受害线通道是否需要均衡处理；
若需要均衡处理，则利用均衡器对通道滤波后的受害线通道执行所需的均衡处理；
对均衡处理后的受害线通道进行频域到时域的转换，并确定转换后的受害线通道在最优品质因数FOM时的受害线通道信号的信号幅值；
针对所述远端串扰通道描述模型和所述近端串扰通道描述模型，对所述远端串扰通道描述模型所表征的远端串扰通道和所述近端串扰通道描述模型所表征的近端串扰通道分别进行通道滤波处理；
若根据所述DDRSDRM设计文件，确定所述远端串扰通道需要均衡处理，则对通道滤波后的远端串扰通道进行均衡处理；并
对均衡处理后的远端串扰通道进行频域到时域的转换，并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声；
若根据所述DDRSDRM设计文件，确定所述近端串扰通道需要均衡处理，则对通道滤波后的近端串扰通道进行均衡处理；并
对均衡处理后的近端串扰通道进行频域到时域的转换，并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声；
根据所述远端串扰通道的通道噪声和所述近端串扰通道的通道噪声，确定所述DDRSDRAM通道中噪声信号的噪声信号幅值；
根据所述受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若判断所述受害线通道不需要均衡处理，则根据所述无源通道描述模型，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM，包括：
对通道滤波后的受害线通道进行频域到时域的转换；并确定转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值；
根据转换后的受害线通道的受害线通道信号的信号幅值和所述噪声信号幅值，计算当前DDRSDRAM通道的通道裕量COM。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，若所述远端串扰通道不需要均衡处理，则对通道滤波后的远端串扰通道进行频域到时域的转换；并对转换后的远端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的远端串扰通道的通道噪声；
若所述近端串扰通道不需要均衡处理，则对通道滤波后的近端串扰通道进行频域到时域的转换；并对转换后的近端串扰通道加入干扰噪声，并确定加入干扰噪声后的近端串扰通道的通道噪声。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对通道滤波处理后的远端串扰通道进行均衡处理，包括：
获取均衡处理后的受害线通道在最优品质因数FOM时均衡器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜攀，
申请(专利权)人：新华三半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51