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本发明公开了一种单晶Ge‑Sn‑Te纳米线的制备方法，将GeTe粉末预先加热处理，再和Sn粉末混合作为反应源，将上述反应源置于化学气相沉积设备的反应区内；其后，将所述反应区温度提升至第一设定温度，而将所述衬底温度维持于第二设定温度，按设定流...
该专利属于常熟理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过常熟理工学院授权不得商用。

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