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本公开涉及半导体器件中的栅极结构。一种方法包括在半导体鳍上方并沿着半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层。该方法还包括在高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层，并且通过n型功函数金属层对高k栅极电介质层执行钝化处理。钝化处理包括远程等离子体工...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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