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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底内形成相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有第一型离子，阱区中具有第二型离子，第一型离子和第二型离子的导电类型不同；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构一侧的漂移区内形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。