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本发明公开了一种多功能突触器件及其制作方法，本发明技术方案在半导体衬底表面的第一隔离层上形成有至少一个突触单元，所述突触单元包括：相对数设置的第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的功能层；所述第一电极与所述功能层形成肖特基...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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