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本发明涉及半导体器件和集成电路结构。其中，半导体器件可包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的嵌入式外延源极区，具有倾斜侧壁；位于半导体衬底上方的嵌入式外延漏极区，具有倾斜侧壁；第一纳米线，从嵌入式外延源极区延伸到嵌入式外延漏极区；第二纳米线...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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