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一种氮化物半导体发光元件(1)，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，具备：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；以及活性层(50)，其设置在上述n型包覆层(30)上，...
该专利属于日机装株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日机装株式会社授权不得商用。

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