氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

一种氮化物半导体发光元件(1)，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，具备：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；以及活性层(50)，其设置在上述n型包覆层(30)上，包含单量子阱结构(50A)，上述单量子阱结构(50A)包括由AlGaN形成的1个势垒层(51)、以及由具有比形成该1个势垒层(51)的AlGaN的Al组成比小的Al组成比的AlGaN形成的1个阱层(52)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体发光元件及其制造方法
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
已知输出蓝色光的发光二极管、激光二极管等氮化物半导体发光元件(参照专利文献1)。专利文献1记载的氮化物半导体发光元件，其特征是在AlN系III族氮化物单晶上形成的发光波长为300nm以下的发光元件中具有：高浓度n型III族氮化物层；多量子阱结构，其包括n型或者i型的III族氮化物势垒层及n型或者i型的III族氮化物阱层；i型的III族氮化物最终阻隔层；p型III族氮化物层；以及电子阻挡层，其包括p型或者i型的AlN层，形成在上述i型III族氮化物最终阻隔层与上述p型III族氮化物层之间，对于上述i型III族氮化物最终阻隔层成为电子能量势垒，上述i型III族氮化物最终阻隔层的厚度设为2nm至10nm，上述n型或者i型的III族氮化物阱层的厚度设为2nm以下。这样，以往是通过设置将量子阱结构多重化层叠而成的多量子阱层，来谋求发光元件的发光效率的改善。现有技术文献专利文献专利文献1：特许第5641173号公报<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物半导体发光元件，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：/nn型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及/n活性层，其设置在上述n型包覆层上，包含单量子阱结构，上述单量子阱结构包括由AlGaN形成的1个势垒层、以及由具有比形成该1个势垒层的AlGaN的Al组成比小的Al组成比的AlGaN形成的1个阱层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180731 JP 2018-1434181.一种氮化物半导体发光元件，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：
n型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及
活性层，其设置在上述n型包覆层上，包含单量子阱结构，上述单量子阱结构包括由AlGaN形成的1个势垒层、以及由具有比形成该1个势垒层的AlGaN的Al组成比小的Al组成比的AlGaN形成的1个阱层。


2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，
上述1个势垒层在上述单量子阱结构内位于上述n型包覆层侧，
上述1个阱层在上述单量子阱结构内位于上述n型包覆层的相反侧。


3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，
上述1个势垒层由具...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓勇介，希利尔·贝诺，
申请(专利权)人：日机装株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP