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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括在垂直于该半导体器件的衬底的竖直方向上交替布置的字线层和绝缘层的堆叠体。该堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域。该半导体器件包括虚设沟道结构，该虚设沟道结构在竖直方向上延伸穿过堆叠体的第一阶梯区域...
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