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本实用新型涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电类型碳...
该专利属于苏州凤凰芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州凤凰芯电子科技有限公司授权不得商用。

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