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一种等离子体蚀刻装置，包括用于至少一个板形基板的真空腔室(2)，真空腔室具有环绕中心轴线(A)的侧壁(18，18’)，该腔室包括基板处理开口(28)；用于还原性气体和惰性气体的至少一个入口(34)；基座(11，11’)，其在腔室(2)的蚀刻...
该专利属于瑞士艾发科技所有，仅供学习研究参考，未经过瑞士艾发科技授权不得商用。

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