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包括存储器单元及选择栅极的组合件制造技术
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下载包括存储器单元及选择栅极的组合件的技术资料
文档序号:27748355
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本申请案涉及包括存储器单元及选择栅极的组合件。一些实施例包含一种组合件,其具有包含电介质层级及导电层级的存储器堆叠。选择栅极结构在所述存储器堆叠上方。沟槽延伸穿过所述选择栅极结构。所述沟槽沿着横截面具有第一侧及相对的第二侧。所述沟槽将所述选...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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