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本申请实施例公开了一种半导体工艺设备及静电卡盘表面电荷量的检测方法,所述半导体工艺设备包括上电极组件、工艺腔室、直流电源、电压检测器和直流滤波器;工艺腔室接地;工艺腔室内设置有静电卡盘;直流滤波器包括电容和电感,电容一端接地,另一端通过电感...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本申请实施例公开了一种半导体工艺设备及静电卡盘表面电荷量的检测方法,所述半导体工艺设备包括上电极组件、工艺腔室、直流电源、电压检测器和直流滤波器;工艺腔室接地;工艺腔室内设置有静电卡盘;直流滤波器包括电容和电感,电容一端接地,另一端通过电感...