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本发明提供一种半导体器件结构中多晶硅插塞材料的填充方法及3D NAND存储器的制备方法，在衬底的阵列区的堆叠结构中形成沟道结构之后，在堆叠结构的侧壁以及位于外围区域的衬底的表面形成保护层，该保护层具有相对多晶硅足够高的刻蚀选择比，例如可以是...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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