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本发明公开了一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法，包括：步骤S1、对待检测的非易失性存储器进行上电，使得非易失性存储器释放内部配置信息；步骤S2、检测漏电初始化；步骤S3、对所述非易失性存储器的所有全局位线进行漏电检测，若当前被检测的全...
该专利属于普冉半导体（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普冉半导体（上海）股份有限公司授权不得商用。

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