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本发明公开了一种LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用。制备方法包括：采用LaB6和B粉作为原料，按配比混料得到混合粉末；将混合粉末装入石墨模具，采用分段式升温
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该专利属于湖南稀土金属材料研究院所有，仅供学习研究参考，未经过湖南稀土金属材料研究院授权不得商用。

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