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本发明提供一种堆叠式结构及其制造方法。所述堆叠式结构包含下部结构、上部结构和缓冲层。所述下部结构包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层相接触的至少一个下部金属层。所述上部结构包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层相接触的至少一个上部金属...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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