温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法在基底上形成第一初始栅电极结构后，刻蚀所述第一初始栅电极结构的底部侧壁，使第一初始栅电极结构形成第一栅电极结构，所述第一栅电极结构底部的基底中具有第一沟道区，在沿所述第一沟道区的长度方向上...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。