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本公开的各方面提供了一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。穿过半导体器件的衬底之上的堆叠层形成沟道孔。沟道孔的侧壁沿着垂直于衬底的竖直方向延伸。在沟道孔中形成沿着竖直方向延伸的栅极电介质结构、沟道层和电介质结构。栅极电介质结构可以沿着...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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