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本发明涉及半导体器件领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：半导体结构，所述半导体结构包含衬底和层叠于所述衬底上的堆叠层，其中，所述堆叠层包括交替设置的层间绝缘层和栅极层；所述堆叠层形成有阶梯结构，所述阶梯结构具有多个台...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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