下载高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法的技术资料

文档序号:27508336

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本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法,栅极的形成步骤包括:步骤一、形成包含有高介电常数层的栅介质层;步骤二、在高介电常数层表面形成第一盖帽层;步骤三、在氨气气氛下进行金属后退火以对高介电常数层进行氮化处理;步骤四、将第一盖...
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