一种提高稀土永磁材料磁性能的晶界扩散方法技术资料下载

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本发明涉及稀土永磁材料技术领域，具体涉及一种提高稀土永磁材料磁性能的晶界扩散方法，包括如下步骤：S1、扩散基体前处理；S2、扩散源涂覆；S3、压力扩散热处理；将涂覆磁体放入低压烧结炉中，对烧结炉抽真空，然后升温到700～850℃并保温5该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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