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本发明实施例公开一种半导体装置的形成方法。首先可沉积纳米晶体高介电常数薄膜作为介电材料的非晶形基质层，并且可在非晶形基质层中形成悬浮的自包含纳米晶体区。如此一来，非晶形基质层材料将自包含纳米晶体区彼此分隔，从而避免在介电层内形成晶界作为漏电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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