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本发明公开了一种高强度低介电性聚酰亚胺多层膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述多层膜包括芯层及形成于芯层上和/或下表面的表层，所述芯层为聚酰亚胺薄膜，其中掺有占芯层1～5wt％的氟化物；所述表层为聚酰亚胺薄膜，具体由占5～3...
该专利属于桂林电器科学研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电器科学研究院有限公司授权不得商用。

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