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全禁带三维光子晶体压印成型方法技术
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文档序号:2743502
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本发明涉及微纳制造技术领域,介绍了一种全禁带三维光子晶体的压印成型制造方法及全禁带三维光子晶体结构。以高分子聚合物硅橡胶或聚甲基丙烯酸甲酯作为基体材料,采用纳米压印的方式在高分子聚合物基体材料中填入单分散胶体颗粒(聚苯乙烯、二氧化硅或二氧化...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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