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本发明公开了一种存储单元及其制备方法、存储器。其中，该存储单元包括：自旋霍尔效应层，自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，凸起部具有凸起连接面，本体具有本体连接面，凸起连接面与本体连接面连接；磁隧道结，设置在自旋霍尔效应层，磁隧道结包括自由层，自...
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