存储单元及其制备方法、存储器技术

本发明专利技术公开了一种存储单元及其制备方法、存储器。其中，该存储单元包括：自旋霍尔效应层，自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，凸起部具有凸起连接面，本体具有本体连接面，凸起连接面与本体连接面连接；磁隧道结，设置在自旋霍尔效应层，磁隧道结包括自由层，自由层设置在自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分凸起连接面；电极，设置在磁隧道结远离自旋霍尔效应层表面上，其中，凸起连接面与本体连接面的自由层磁化方向不相同，在本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。本发明专利技术解决了相关技术中存储器需要外部磁场破坏空间反演对称性，才能实现磁矩翻转，操作复杂且功耗较大的技术问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
存储单元及其制备方法、存储器


[0001]本专利技术涉及存储器领域，具体而言，涉及一种存储单元及其制备方法、存储器。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器MRAM(Magnetic Random Access Memory，简称为MRAM)具有长寿命、低功耗以及非易失等优点，其主要是通过翻转自由层的磁化方向，使其与参考层的磁化方向平行或反平行，以在不同电阻间切换。
[0003]当前的第三代磁性随机存储器MRAM为自旋轨道转矩磁性存储器(简称SOT-MRAM)，具备自旋转移力矩磁性随机存储器(第二代磁性随机存储器STT-MRAM)的所有优点，且提高了写入速度，并降低功耗，该自旋轨道转矩磁性存储器原理是利用自旋霍尔效应完成磁矩翻转，从而完成数据文件读写，实现接近无限次的擦写。
[0004]目前设计的自旋轨道转矩磁性存储器，只利用自旋霍尔效应，不能使存储器中的自由层的磁矩完全翻转，需要额外的力矩来破坏空间反演对称性，例如，通过外部电场施加偏置磁场，从而完成自由层的磁矩完全翻转，但是该种方法操作复杂且功耗较大，不利于制备高密度的存储阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，至少包括：自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，所述凸起部具有凸起连接面，所述本体具有本体连接面，所述凸起连接面与所述本体连接面连接；磁隧道结，设置在所述自旋霍尔效应层，所述磁隧道结包括自由层，所述自由层设置在所述自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分所述凸起连接面；电极，设置在所述磁隧道结远离所述自旋霍尔效应层表面上，其中，所述凸起连接面与所述本体连接面的自由层磁化方向不相同，在所述本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，至少一个所述凸起连接面与所述本体连接面之间的夹角大于90
°
且小于180
°
。3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述磁隧道结至少包括沿远离所述自旋霍尔效应层依次叠置的自由层、势垒层以及固定层。4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述自由层包括第一自由部和第二自由部，所述第一自由部覆盖所述凸起连接面上，所述势垒层包括相互连接第一势垒部和第二势垒部，其中，所述第一势垒部位于所述第一自由部的远离所述凸起连接面的表面上，所述固定层同时覆盖所述第一势垒部和所述第二势垒部，或者，固定层仅覆盖所述第二势垒部。5.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述自由层与所述固定层为垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：李州，孟皓，殷标，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：