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本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供衬底，所述衬底包括：具有第一导电区的像素区以及具有第二导电区的逻辑区。在所述衬底上形成介电层，覆盖所述第一导电区。在所述介电层中形成第一接触窗开口，裸露出所述第一...
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