半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供衬底，所述衬底包括：具有第一导电区的像素区以及具有第二导电区的逻辑区。在所述衬底上形成介电层，覆盖所述第一导电区。在所述介电层中形成第一接触窗开口，裸露出所述第一导电区。在所述第一接触窗开口中依序形成掺杂的多晶硅层。在所述掺杂的多晶硅层上形成第一金属硅化物层。在所述介电层中形成第二接触窗开口，裸露出所述第二导电区。在所述第一接触窗开口与所述第二接触窗开口中分别形成阻障层与金属层。属层。属层。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种集成电路及其制造方法，且特别是涉及一种半导体元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]先进半导体制作工艺常使用金属与金属硅化物来降低接触窗与源极与漏极区之间的片电阻。然而，互补式影像传感器若使用金属与金属硅化物容易造成金属污染，而使暗电流增加。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体元件及其制造方法，可以避免金属污染导致暗电流增加的问题。
[0004]本专利技术实施例提出一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供衬底，所述衬底包括：具有第一导电区的像素区以及具有第二导电区的逻辑区。在所述衬底上形成介电层，覆盖所述第一导电区。在所述介电层中形成第一接触窗开口，裸露出所述第一导电区。在所述第一接触窗开口中依序形成掺杂的多晶硅层。在所述掺杂的多晶硅层上形成第一金属硅化物层。在所述介电层中形成第二接触窗开口，裸露出所述第二导电区。在所述第一接触窗开口与所述第二接触窗开口中分别形成阻障层与金属层。
[0005]在本专利技术的一实施例中，上述的第一导电区为所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括：像素区，具有第一导电区；以及逻辑区，具有第二导电区；在所述衬底上形成介电层，覆盖所述第一导电区；在所述介电层中形成第一接触窗开口，裸露出所述第一导电区；在所述第一接触窗开口中依序形成掺杂的多晶硅层；在所述掺杂的多晶硅层上形成第一金属硅化物层；在所述介电层中形成第二接触窗开口，裸露出所述第二导电区；以及在所述第一接触窗开口与所述第二接触窗开口中分别形成阻障层与金属层。2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一导电区为所述像素区的栅极导体层或掺杂区，且所述栅极导体层或所述掺杂区不含金属硅化物层，且在形成所述第一金属硅化物之前未被金属硅化物层覆盖。3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括：在所述衬底上形成所述介电层之前，在所述衬底的所述像素区上形成阻挡层，裸露出所述衬底的所述逻辑区；以及在所述第二导电区上形成第二金属硅化物层。4.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中形成所述第一接触窗开口的步骤是在形成所述第二金属硅化物层的步骤之后，且在形成所述第二接触窗开口步骤之前。5.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中形成所述第一金属硅化物层的步骤是在形成所述第二金属硅化物层的步骤之后。6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中在所述第一接触窗开口中形成所述掺杂的多晶硅层的步骤包括：在所述衬底上共形地形成掺杂的多晶硅材料层；在所述掺杂的多晶硅材料层上形成掩模材料层；进行回蚀刻制作工艺，以移除部分所述掩模材料层，在所述第一接触窗开口中形成掩模层；以所述掩模层为掩模，回蚀所述掺杂的多晶硅材料层；以及移除所述掩模层。7.如权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中所述掩模层包括光致抗蚀剂层或是底抗反射层。8.一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底，包括：像素区，具有第一导电区；以及逻辑区，具有第二导电区；第一接触窗，位于所述像素区的所述介电层中，所述第一接触窗包括：掺杂的多晶硅层，与所述第一导电区接触；第一金属层，位于所述掺杂的多晶硅层上；第一阻障层，位于所述第一金属层与所述掺杂的多晶硅层之间；以及
第一金属硅化物层，位于所述第一阻障层与所述掺杂的多晶硅层之间；以及第二接触窗，位于所述逻辑区的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许智凯，傅思逸，许嘉榕，邱淳雅，陈金宏，林毓翔，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：