温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在半导体处理中，控制形成在晶片上的结构的临界尺寸是通过以下方式实现的：首先利用显影工具对晶片上膜层顶部的光刻胶进行显影，光刻胶显影是包括显影的温度和时长在内的显影工具工艺变量的函数。在对光刻胶显影之后，利用刻蚀工具对晶片上的膜层执行一个或多...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。