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本发明提供了一种半导体器件结构和制备方法，制备方法包括如下步骤：提供表面形成有栅氧层的半导体衬底；在所述栅氧层上方形成图形化的栅极层和覆盖于所述栅极层顶部的阻挡层；对所述半导体衬底进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一掺杂区，所述阻挡...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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