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本发明提供一种3D NAND闪存编程方法，包括：S1)提供3D NAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成...该专利属于中天弘宇集成电路有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中天弘宇集成电路有限责任公司授权不得商用。
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本发明提供一种3D NAND闪存编程方法，包括：S1)提供3D NAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成...