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一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对...
该专利属于住友重机械离子科技株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友重机械离子科技株式会社授权不得商用。

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