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本发明涉及高纯石墨制备技术领域，具体为一种用于半导体级SiC粉体合成的高纯石墨粉的制备工艺，其包括以下步骤：装炉
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该专利属于中钢集团新型材料（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中钢集团新型材料（浙江）有限公司授权不得商用。

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