温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置，包括：第一堆叠件组，其具有交替且重复地堆叠在衬底上的第一层间绝缘层和第一栅极层；以及第二堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在第一堆叠件组上的第二层间绝缘层和第二栅极层。分离结构穿过第一堆叠件组和第二堆叠件组，并包括第一分离区域...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。