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本申请公开了一种功率器件的制作方法及器件，该方法包括：在外延层上形成硬掩模层，该外延层形成于衬底上；对外延层的目标区域进行刻蚀，在元胞区域的外延层中形成器件沟槽，在保护环区域的外延层中形成第一保护环沟槽和第二保护环沟槽，第一保护环沟槽的宽度...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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