【技术实现步骤摘要】
功率器件的制作方法及器件
[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种功率器件的制作方法及器件。
技术介绍
[0002]在半导体器件，尤其是功率器件的结构中，为了抑制少子运动或闩锁效应(latch-up)，通常在器件的元胞(cell)区域的外环设置保护环(guard ring)。
[0003]参考图1，其示出了相关技术中提供的一种器件的剖面示意图。如图1所示，衬底110包括元胞区域1101和保护环区域1102，衬底110上形成有外延层120，元胞区域1101的外延层120中形成有器件沟槽101，保护环区域1102的外延层120中形成有保护环沟槽102。
[0004]相关技术中，在形成器件沟槽101和保护环沟槽102之后，需要通过不同的掩模板和光刻工艺分别对元胞区域1101和保护环区域1102进行不同的掺杂，工艺较为复杂，从而导致制造成本较高。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种功率器件的制作方法及器件，可以解决相关技术中提供的功率器件的制作方法由于需要采用不同的工序分别对元胞...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在外延层上形成硬掩模层，所述外延层形成于衬底上，所述衬底所在的平面包括元胞区域和保护环区域，所述元胞区域用于形成所述功率器件，所述保护环区域用于形成所述功率器件的保护环；对目标区域进行刻蚀，在所述元胞区域的外延层中形成器件沟槽，在所述保护环区域的外延层中形成第一保护环沟槽和第二保护环沟槽，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述器件沟槽的宽度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述第二保护环沟槽的宽度；进行离子注入，所述离子注入的角度为20
°
至50
°
，在所述第一保护环沟槽的底部和侧面形成掺杂阱区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护环区域的外延层中形成有至少两个所述第一保护环沟槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化层，或，所述硬掩模层包括氧化层和氮化层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度的两倍。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，在进行所述离子注入时，多次以所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘华明，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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