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本申请涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；...
该专利属于陕西源杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。

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