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本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：衬底；在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括在垂直于所述衬底的纵向上交替设置的层间绝缘层和栅极层；纵向延伸穿过所述堆叠层的沟道孔，以及形成在所述沟道孔内的存储结...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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