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本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底自下而上依次包括基底、底部介质层、金属硅化物层及掺杂多晶硅层；形成三维存储结构层于衬底上，三维存储结构层中设有垂直沟道结构，垂直沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层的存储...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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