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本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在所述三维存储器的制造方法中，第一栅线分隔槽或第三栅线分隔槽延伸穿过堆栈结构中边缘台阶区的部分被拿掉，堆栈结构中边缘台阶区的刻蚀较少，堆栈结构的边缘台阶区保持得比较完整，能在利用刻蚀距离的限制...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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