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本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种降低刻蚀停止层对NMOS器件压应力的方法。所述降低刻蚀停止层对NMOS器件压应力的方法包括：提供具有压应力刻蚀停止层的半导体晶片；所述半导体晶片包括NMOS器件和PMOS器件；在所述压应力刻蚀停...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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