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本发明涉及一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置，包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、位线BL、位线BLB、读字线RWL、读位线RB...
该专利属于中科院微电子研究所南京智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中科院微电子研究所南京智能技术研究院授权不得商用。

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