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一种双端口SRAM存储单元,包括第一至第四NMOS;第一、第二NMOS的栅极与第三、第四NMOS的漏极共同连接字线;第一NMOS的源极连接第一位线;第三NMOS的源极连接第四位线;第二NMOS的源极连接第三位线;第四NMOS的源极连接第二位...该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。
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一种双端口SRAM存储单元,包括第一至第四NMOS;第一、第二NMOS的栅极与第三、第四NMOS的漏极共同连接字线;第一NMOS的源极连接第一位线;第三NMOS的源极连接第四位线;第二NMOS的源极连接第三位线;第四NMOS的源极连接第二位...