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本申请实施例涉及一种缺陷修复电路和存储器,缺陷修复电路包括:测试模块,用于在测试模式下对存储单元阵列进行缺陷测试,以确定缺陷存储单元,并输出与存储单元相对应的测试地址信息和缺陷标识信号;缺陷信息存储模块,与测试模块连接,用于响应于缺陷标识信...该专利属于长鑫存储技术(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术(上海)有限公司授权不得商用。
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本申请实施例涉及一种缺陷修复电路和存储器,缺陷修复电路包括:测试模块,用于在测试模式下对存储单元阵列进行缺陷测试,以确定缺陷存储单元,并输出与存储单元相对应的测试地址信息和缺陷标识信号;缺陷信息存储模块,与测试模块连接,用于响应于缺陷标识信...