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本发明属于光电子技术领域，其特征在于，在半导体上采用电子束曝光和干法刻蚀工艺形成光子晶体双波导结构，光子晶体波导两端接有导光用的连接光波导，并通过选择湿法刻蚀去除牺牲层的一部分形成桥支撑结构。由于光子晶体双波导的反向耦合作用，偶对称传导模式...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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