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本发明一种绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构，其特征在于，包括：一ＳＯＩ结构，该ＳＯＩ结构包括依次生长的硅衬底、ＳｉＯ↓［２］埋层、顶层硅；该ＳＯＩ结构上有一凹槽，该凹槽位于硅衬底、ＳｉＯ↓［２］埋层、顶层硅上。本发明由于各向异性湿法腐蚀...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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