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SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备技术
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文档序号:26924318
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本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备,其中,所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型,确定芯片分布的可行域,基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计,基于所述仿真参数进行有限元仿真,根据仿...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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