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本发明公开了一种积层体的制造方法。形成基底层。形成多层结构于基底层上,多层结构包含依序堆叠的元件层、牺牲层以及保护层。蚀刻移除多层结构的元件层、牺牲层与保护层,以形成图案化多层结构。形成第一介电质层,并且第一介电质层覆盖多层结构的侧面。研磨...该专利属于江苏时代全芯存储科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏时代全芯存储科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种积层体的制造方法。形成基底层。形成多层结构于基底层上,多层结构包含依序堆叠的元件层、牺牲层以及保护层。蚀刻移除多层结构的元件层、牺牲层与保护层,以形成图案化多层结构。形成第一介电质层,并且第一介电质层覆盖多层结构的侧面。研磨...