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本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；...
该专利属于合肥福纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥福纳科技有限公司授权不得商用。

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